- SPB04N60C3
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详细信息
品牌：INFINEON
封装：TO-263
批号：11+
数量：14000
描述：参数详情：
数据列表 SPB04N60C3
产品相片 TO-263
标准包装 1,000
类别 分立半导体产品
FET 类型 MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能 标准
漏源极电压 (Vdss) 650V
电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时） 4.5A
不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值） 950 毫欧 @ 2.8A，10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值） 3.9V @ 200μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) 25nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) 490pF @ 25V
功率 - 最大值 50W
安装类型 表面贴装
封装/外壳 TO-263-3，D2Pak（2 引线+接片），TO-263AB
供应商器件封装 PG-TO263-3
包装 带卷 (TR)
产品目录页面 1616 (CN2011-ZH PDF)
相关型号：
SP000013533
SPB04N60C3INTR
SPB04N60C3XT
SPB04N60C3XTINTR
SPB04N60C3XTINTR-ND
封装：TO-263
批号：11+
数量：14000
描述：参数详情：
数据列表 SPB04N60C3
产品相片 TO-263
标准包装 1,000
类别 分立半导体产品
FET 类型 MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能 标准
漏源极电压 (Vdss) 650V
电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时） 4.5A
不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值） 950 毫欧 @ 2.8A，10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值） 3.9V @ 200μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) 25nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) 490pF @ 25V
功率 - 最大值 50W
安装类型 表面贴装
封装/外壳 TO-263-3，D2Pak（2 引线+接片），TO-263AB
供应商器件封装 PG-TO263-3
包装 带卷 (TR)
产品目录页面 1616 (CN2011-ZH PDF)
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SP000013533
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SPB04N60C3XT
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警方提示：网上买、卖商品要谨慎小心，以免上当受骗。
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