查看此店铺所有供求信息 联系人:江海燕 电话:020-85699895 手机:13760815625 地址:广州市天河区中山大道建中路5号广海大厦海天楼1207 服务: ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() 价格: ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() 综合: ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() 营业时间:日常营业 QQ/微信/Skype: ![]() |
详细信息
品牌:INFINEON
封装:TO-263
批号:10+
数量:1500
描述:制造商: Infineon
产品种类: MOSFET
晶体管极性: N-Channel
汲极/源极击穿电压: 40 V
闸/源击穿电压: +/- 20 V
漏极连续电流: 140 A
电阻汲极/源极 RDS(导通): 0.002 Ohms
配置: Single Quint Source
最大工作温度: + 175 C
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: TO-263
封装: Reel
下降时间: 7.8 ns
最小工作温度: - 55 C
功率耗散: 167 W
上升时间: 6.4 ns
工厂包装数量: 1000
典型关闭延迟时间: 40 ns
零件号别名: IPB020N04NGATMA1 IPB020N04NGXT SP000359157
封装:TO-263
批号:10+
数量:1500
描述:制造商: Infineon
产品种类: MOSFET
晶体管极性: N-Channel
汲极/源极击穿电压: 40 V
闸/源击穿电压: +/- 20 V
漏极连续电流: 140 A
电阻汲极/源极 RDS(导通): 0.002 Ohms
配置: Single Quint Source
最大工作温度: + 175 C
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: TO-263
封装: Reel
下降时间: 7.8 ns
最小工作温度: - 55 C
功率耗散: 167 W
上升时间: 6.4 ns
工厂包装数量: 1000
典型关闭延迟时间: 40 ns
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警方提示:网上买、卖商品要谨慎小心,以免上当受骗。
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