成为会员？基本信息
猜您感兴趣
IKW25N120H3 IGBT管模块 全新原装正品现货
信息类型：供应
| 参数名称 | 参数值 |
|---|---|
| Source Content uid | IKW25N120H3 |
| 是否无铅 |
 不含铅
|
| 是否Rohs认证 |
 符合
|
| 生命周期 | Active |
| Objectid | 2103868032 |
| 零件包装代码 | TO-247 |
| 包装说明 | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
| 针数 | 3 |
| Reach Compliance Code | compliant |
| ECCN代码 | EAR99 |
| 风险等级 | 1.4 |
| Samacsys Manufacturer | Infineon |
| Samacsys Modified On | 2023-03-07 16:15:00 |
| YTEOL | 5.38 |
| 最大集电极电流 (IC) | 50 A |
| 集电极-发射极最大电压 | 1200 V |
| 配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 门极发射器阈值电压最大值 | 6.5 V |
| 门极-发射极最大电压 | 20 V |
| JEDEC-95代码 | TO-247 |
| JESD-30 代码 | R-PSFM-T3 |
| JESD-609代码 | e3 |
| 元件数量 | 1 |
| 端子数量 | 3 |
| 最高工作温度 | 175 °C |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | FLANGE MOUNT |
| 极性/信道类型 | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs) | 326 W |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 子类别 | Insulated Gate BIP Transistors |
| 表面贴装 | NO |
| 端子面层 | TIN |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE |
| 端子位置 | SINGLE |
| 晶体管应用 | POWER CONTROL |
| 晶体管元件材料 | SILICON |
| 标称断开时间 (toff) | 397 ns |
| 标称接通时间 (ton) | 61 ns |
如果此信息不合适，您也可以自己 发布一条采购信息!
法律声明：本站只提供信息交流平台，各交易者自己审辨真假，如有损失，本站概不负责。
警方提示：网上买、卖商品要谨慎小心，以免上当受骗。
警方提示：网上买、卖商品要谨慎小心，以免上当受骗。
联络时请说明来自卓强IC网-电子元器件贸易平台-线上IC交易网，以获得更好效果。
所有评论
发表评论()
最新评论