信息类型：供应


饱和磁感应强度（T）1.57
电阻率(uΩcm)235
密度（g/cm3）7.891
导磁率 60000
低频10KHz\20KHz\30KHz-200KHz频率下的屏蔽性能≥99%基本完全屏蔽
规格：0.1mmx200mmx300M
背胶：柔性带背胶
 应用：电磁屏蔽
厂家：兆荣软磁材料
供货：现货
非晶的制备过程原理非常简单，就是将母合金融化后，通过喷嘴包喷射在一个高速旋转的冷却辊上，瞬间冷却形成像纸一样薄薄的带子。它有几个特点：
    高温，液态合金的温度基本在1400℃~1500℃，瞬间凝固到接近室温，需要极高的冷却速度，冷却速度达到了每秒百万度的级别。
    高速，就是喷带的速度也非常快，30m/s，高精度，喷出带材的厚度20-30μm，非常薄，这样的精度控制是通过喷嘴包下面的狭缝及辊嘴间距的设计实现的。

卷绕步骤，将非晶带材或纳米晶带材卷绕成需要尺寸的磁芯；和热处理步骤，将非晶或纳米晶磁芯按照一定规则排放于热处理炉中进行热处理；其中，在热处理的过程中同时进行磁场处理。通过使用加磁场热处理工艺，能提高磁屏蔽片的屏蔽性能。另外，加磁场热处理后，降低了饱和磁致伸缩系数，从而降低应力的影响，提高了磁导率，降低了损耗，提高了充电效率。
1.一种用于磁屏蔽片的非晶或纳米晶材料的热处理方法，其特征在于，包括如下步骤：
卷绕步骤，将非晶带材或纳米晶带材卷绕成需要尺寸的磁芯；和
热处理步骤，将非晶或纳米晶磁芯按照一定规则排放于热处理炉中进行热处理；
其中，在热处理的过程中同时进行磁场处理。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述热处理步骤中，热处理工作温度的设定如下：非晶材料热处理温度为350℃-480℃，升温时间为50分钟-2小时，保温时间为1小时-10小时；其中升温阶段为两个阶段，保温阶段为两个阶段。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述热处理步骤中，热处理工作温度的设定如下：纳米晶材料热处理温度为450-580℃，升温时间为1小时-3小时，保温时间为1小时-10小时，升温阶段分为二个阶段或三个阶段，等温阶段为三个至五个阶段。
4.根据权利要求2或3所述的方法，其特征在于，所述热处理步骤进一步包括如下步骤：
抽真空步骤：卷绕成的所述磁芯放入热处理炉并拧紧炉盖后，抽真空至真空-0.08MPa；
保护气充入步骤：充入保护气氛至热处理炉内气压为0.02-0.04MPa，所述保护气氛为氩气或氮气；
磁场处理步骤，在热处理炉内升温到250℃温度时，施加直流电流在热处理炉的螺旋铜管上，施加的直流电流强度为500-2000A，产生的磁场强度为1000-4000A/m，在热处理升温和保温过程中一直进行磁场处理，直到所述磁芯的温度降为200℃以下。
5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述热处理炉是气体保护热处理炉，炉体结构为立式磁场炉。
6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述磁场处理为横磁场处理，所述磁屏蔽片使用的频率在100KHZ以上，磁导率400以上。
7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述非晶材料为1K101材料，所述纳米晶材料为1K107材料。
8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述一定规则包括多个磁芯单层摆放，各磁芯间距一般为30-50毫米。
目前，便携式终端、手机、数码摄像机等电子设备中已经规模化使用和推广无线充电技术。该技术在发送端和接收端各具有一个线圈。发送端线圈连接有线电源以产生电磁信号，接收端线圈感应发送端的电磁信号从而产生电流供电池充电。接收端线圈需要通过屏蔽片进行电磁屏蔽。目前屏蔽片使用非晶和纳米晶材料，通过使用前述材料进行热处理及后续加工工序而完成该屏蔽片。
在无线充电模块中，磁性材料制成的电磁屏蔽片的功能包括两方面。一方面是为电磁感应的线圈耦合提供高磁导率的通道，提高充电效率；另一方面是保证感应线圈的交变磁场带来的磁力线对其他电子部件不产生干扰，起到屏蔽作用。
目前非晶1K101和1K107纳米晶材料用于磁屏蔽上已经规模化使用。作为无线充电导磁片用的非晶材料和纳米晶材料，在制备成无线充电用电磁屏蔽片后，其高频损耗主要来自于涡流损耗，影响其充电效率，同时磁导率也降低很多。现有制备方法中均采用无磁热处理工艺，对非晶、纳米晶带材进行热处理，一般的热处理工艺是在温度370-450℃或500℃-600℃进行普通的热处理。这种热处理不能完全发挥非晶、纳米晶材料应有的电磁性能。虽然非晶材料经过这种热处理方法能够获得磁性能，但是在100KHZ频率以上磁导率不高，磁滞伸缩系数(λ)还没有达到最佳，材料在应力作用下，磁导率下降，性能有明显的变化。