成为会员？基本信息
猜您感兴趣
出售直插IPU50R2K0CE和IPS60R2K1CE三极管
信息类型：供应
详细参数：
FET 类型：N 沟道
技术：MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）：500V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：2.4A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：13V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：3.5V @ 50μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：6nC
电压，耦合至栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs：10V
Vgs（最大值）：±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：124pF
电压，耦合至输入电容（Ciss）（最大） @ Vds：100V
FET 功能：-
功率耗散（最大值）：33W（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：2 欧姆 @ 600mA，13V
工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：表面贴装
供应商器件封装：PG-TO251
封装/外壳：TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA
更多产品内容尽在深圳市明佳达电子，有需要的商友可通过在线方式或者来邮与我们联系。
详细参数：
FET 类型：N 沟道
技术：MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）：500V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：2.4A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：13V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：3.5V @ 50μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：6nC
电压，耦合至栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs：10V
Vgs（最大值）：±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：124pF
电压，耦合至输入电容（Ciss）（最大） @ Vds：100V
FET 功能：-
功率耗散（最大值）：33W（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：2 欧姆 @ 600mA，13V
工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：表面贴装
供应商器件封装：PG-TO251
封装/外壳：TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA
更多产品内容尽在深圳市明佳达电子，有需要的商友可通过在线方式或者来邮与我们联系。
如果此信息不合适，您也可以自己 发布一条采购信息!
法律声明：本站只提供信息交流平台，各交易者自己审辨真假，如有损失，本站概不负责。
警方提示：网上买、卖商品要谨慎小心，以免上当受骗。
警方提示：网上买、卖商品要谨慎小心，以免上当受骗。
联络时请说明来自卓强IC网-电子元器件贸易平台-线上IC交易网，以获得更好效果。
所有评论
发表评论()
最新评论