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BSS131H6327XTSA1
信息类型：供应
型号：BSS131H6327XTSA1
品牌：Infineon
封装:SOT-23
批次：1710+
类别:分立半导体产品,晶体管-FET，MOSFET-单
制造商:InfineonTechnologies
系列:SIPMOS®
包装:剪切带（CT）
零件状态:在售
FET类型:N沟道
技术:MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:240V
电流-连续漏极（Id）（25°C时）:110mA（Ta）
驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）:4.5V，10V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）:1.8V@56μA
不同Vgs时的栅极电荷（Qg）（最大值）:3.1nC@10V
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:77pF@25V
Vgs（最大值）:±20V
FET功能:-
功率耗散（最大值）:360mW（Ta）
不同Id，Vgs时的RdsOn（最大值）:14欧姆@100mA，10V
工作温度:55°C~150°C（TJ）
安装类型:表面贴装
供应商器件封装:SOT23-3
封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
型号：BSS131H6327XTSA1
品牌：Infineon
封装:SOT-23
批次：1710+
类别:分立半导体产品,晶体管-FET，MOSFET-单
制造商:InfineonTechnologies
系列:SIPMOS®
包装:剪切带（CT）
零件状态:在售
FET类型:N沟道
技术:MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:240V
电流-连续漏极（Id）（25°C时）:110mA（Ta）
驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）:4.5V，10V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）:1.8V@56μA
不同Vgs时的栅极电荷（Qg）（最大值）:3.1nC@10V
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:77pF@25V
Vgs（最大值）:±20V
FET功能:-
功率耗散（最大值）:360mW（Ta）
不同Id，Vgs时的RdsOn（最大值）:14欧姆@100mA，10V
工作温度:55°C~150°C（TJ）
安装类型:表面贴装
供应商器件封装:SOT23-3
封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
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警方提示：网上买、卖商品要谨慎小心，以免上当受骗。
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