美国德州仪器公司（TI）发布了将工作电压为600V的GaN FET和驱动器IC集成在一个封装里的“LMG3410”，已开始提供包括新产品样品在内的开发套件。将于2016年下半年到2017年初开始量产。

TI于2015年3月发布了集成有80V GaN FET和驱动器IC的“LMG5200”。不过，当时采用的是美国Efficient Power Conversion（EPC）公司的GaN FET。此次的LMG3410采用的是TI自己开发的GaN FET。

据德州仪器日本公司的江本知正（美浦工厂特聘部长技术战略负责人）介绍，TI利用过去通过硅器件积累的技术和经验，开发出了此次的600V GaN FET。其导通电阻只有70mΩ（25℃的标称值），输出电流为12A。新产品在8mm×8mm的QFN封装中集成了600V GaN FET和驱动器IC。

江本知正指出，“在集成有600V级GaN FET和驱动器IC的产品中，已在市场上广泛供应样品的只有LMG3410”。之所以将FET和驱动器IC集成在一起，“是因为GaN FET的开关速度快，很难操控”。

将两种裸片集成在一个封装中，目的是以此扩大使用GaN FET的用户层。与由分立元件构成相比，降低了电力损耗和噪声辐射。据江本介绍，依靠在封装内部裸片之间直接用线连接等封装技术及试验技术，使LMG3410达到了产品化水平。

开关损耗最多可降低80％

新产品的应用目标是服务器、通信装置的AC-DC电源、机器人等工业设备的驱动电路、光伏发电用逆变器以及机架式DC电源等。新产品适用于硬开关应用，如图腾柱式无桥PFC（功率因数校正）电路及LLC共振型转换器等。

与利用硅器件构成上述电路时相比，开关损耗最多可降低80％。另外，通过减少部件个数，电源尺寸最多可缩小50％。LMG3410配备过热保护功能、过电流保护功能及低压锁定（UVLO）功能等。另外，为了降低辐射噪声，可在25～100V/ns范围内调整输出的电压转换速率。

TI已从2016年4月26日开始通过其网站（TI Store）提供开发套件。该套件由配备2个LMG3410样品的半桥子卡“LMG3410-HB-EVM”和4个LMG3410样品构成，参考价格为299美元。插入这种子卡的系统级测评模块“LMG34XX-BB-EVM”的售价为199美元。