2N60L——2A/600V N沟道功率MOSFET

        UTC 2N60L是一种高压MOSFET设计为具有更好的特性，如速度快开关时间，低栅极电荷，低导通状态并有一个高崎岖的雪崩特点。这种功率MOSFET通常用于电源中的高速开关应用，PWM电机控制，高效直流对直流转换器和桥接电路。PWM电机控制，高效直流对直流转换器和桥接电路。

产品特征：

• RDS(ON) < 5Ω @ VGS = 10V, ID =1A 
• Fast switching capability 
•  Avalanche energy specified 
•  Improved dv/dt capability, high ruggedness