产品详细资料：
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FET 类型
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N 沟道
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技术
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MOSFET（金属氧化物）
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漏源电压（Vdss）
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60V
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电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
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50A（Tc）
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驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
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4.5V，10V
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不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
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2.2V @ 35μA
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不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
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64nC @ 10V
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Vgs（最大值）
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±16V
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不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
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4780pF @ 25V
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FET 功能
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-
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功率耗散（最大值）
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71W（Tc）
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不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
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7.8 毫欧 @ 50A，10V
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工作温度
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-55°C ~ 175°C（TJ）
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安装类型
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表面贴装
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供应商器件封装
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PG-TO252-3-11
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封装/外壳
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TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
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