产品详情：
型号：TC58NVG1S3ETA00
封装：窗体顶端
封装：TSOP48
批号：15+
品牌：TOSHIBA
TC58NVG1S3E是一个单一的3.3V2千兆位（2214592512位）NAND电可擦除和组织为（2048+64）字节×64页×2048blocks可编程只读存储器（NAND E2PROM）。该器件具有两个2112字节的静态寄存器允许程序和读取数据将在2112字节为单位的寄存器和存储器单元阵列之间传输。擦除操作是在一个单一的块为单位实施（128字节+4字节：2112字节×64页）。该TC58NVG1S3E是它利用了I / O管脚对地址和数据输入/输出以及用于命令输入序列式存储装置。擦除和编程操作是自动执行使得设备的应用，如固态文件存储，录音，图像文件存储为静态相机等需要高密度非易失性内存中的数据存储系统最合适。
特点：
组织X8存储器单元阵列2112×128K×8注册2112×8页面大小2112字节的块大小（128K+4K）字节；模式阅读，复位，自动页面编程自动块擦除，状态读取，页复印，多页编程，有效块多块擦除，多页复印，多页读；模式控制串行输入/输出指令控制；数字最小2008块最多2048块；电源Vcc= 2.7V到3.6V；存取时间电池数组寄存器30微秒最大串行读周期25 ns最小（发光= 100pF）；编程/擦除时间自动页编程300微秒/页（典型值）。自动块擦除2.5毫秒/块（典型值）；工作电流阅读（25 ns周期）30 mA最大。程序（平均）30 mA最大擦除（平均）30 mA最大待机50μA最大值 |