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全新现货IRLML2060TRPBF品牌IR , N沟道 MOSFET, 1.2 A, Vds=60 V, 3针封装SOT-23
信息类型：供应
型号：IRLML2060TRPBF
品牌：IR
批次：16+
封装：SOT-23
通道类型:N
最大连续漏极电流:1.2 A
最大漏源电压:60 V
最大漏源电阻值:480 mΩ
最大栅阈值电压:2.5V
最小栅阈值电压:1V
最大栅源电压:±16 V
封装类型:SOT-23
安装类型:表面贴装
引脚数目:3
晶体管配置:单
通道模式:增强
类别 功率 :MOSFET
最大功率耗散:1250 mW
最高工作温度:+150 °C
高度:1.02mm
尺寸:3.04 x 1.4 x 1.02mm
长度:3.04mm
宽度;1.4mm
每片芯片元件数目:1
晶体管材料:Si
典型接通延迟时间:4.9 ns
最低工作温度:-55 °C
典型栅极电荷@Vgs:0.67 nC @ 4.5 V
典型输入电容值@Vds:64 pF@ 25 V
典型关断延迟时间:3.7 ns
IRLML2502TRPBF
IRLML6302TRPBF
IRLML6402TRPBF
IRLML6401TRPBF
IRLML5203TRPBF
IRLML2402TRPBF
IRLML0060TRPBF
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批次：16+
封装：SOT-23
通道类型:N
最大连续漏极电流:1.2 A
最大漏源电压:60 V
最大漏源电阻值:480 mΩ
最大栅阈值电压:2.5V
最小栅阈值电压:1V
最大栅源电压:±16 V
封装类型:SOT-23
安装类型:表面贴装
引脚数目:3
晶体管配置:单
通道模式:增强
类别 功率 :MOSFET
最大功率耗散:1250 mW
最高工作温度:+150 °C
高度:1.02mm
尺寸:3.04 x 1.4 x 1.02mm
长度:3.04mm
宽度;1.4mm
每片芯片元件数目:1
晶体管材料:Si
典型接通延迟时间:4.9 ns
最低工作温度:-55 °C
典型栅极电荷@Vgs:0.67 nC @ 4.5 V
典型输入电容值@Vds:64 pF@ 25 V
典型关断延迟时间:3.7 ns
IRLML2502TRPBF
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IRLML6402TRPBF
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IRLML2402TRPBF
IRLML0060TRPBF
IRLML2060TRPBF
IRLML2402TRPBF
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警方提示：网上买、卖商品要谨慎小心，以免上当受骗。
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